FeTRAM – новая перспективная технология компьютерной памяти

Исследователи заняты разработкой нового типа компьютерной памяти, который превзойдет по скорости существующие сейчас аналоги и будет потреблять меньше энергии, чем устройства флэш-памяти. Технология объединяет кремниевые нанопровода и «ферроэлектрический» полимер (материал, меняющий полярность при наличии электрического поля), что делает возможным создание нового типа ферроэлектрического транзистора.

Изменение ферроэлектрическим транзистором полярности является аналогом «нулей» и «единиц», операции, необходимой для хранения информации в бинарном коде, состоящем из последовательности этих значений. Новая технология получила название FeTRAM  (аббревиатура расшифровывается как Ferroelectric Transistor Random Access Memory), а подробности о ней были приведены в научном докладе, опубликованном в журнале Nano Letters.

Технология FeTRAM обладает энергонезависимой памятью. Это значит, что данные сохраняются даже после того, как выключается компьютер. Устройства на базе этой технологии потенциально смогут использовать на 99% меньше энергии, чем флэш-память – доминирующая на рынке форма хранения данных.

По словам разработчиков, имеющийся на сегодняшний день образец пока потребляет больше энергии, но это потому, что устройство еще должным образом не отмасштабировано. Технология FeTRAM выполняет три основные функции компьютерной памяти: запись, считывание и хранение информации в течение длительного времени. Новинка настолько привлекательна, что вряд ли с ней могут сравниться все оригинальные подарки в магазине «Центральный».

Она также совместима с промышленными процессами производства комплементарных металлооксидных полупроводников (CMOS), используемых для создания компьютерных чипов, и в будущем сможет заменить традиционные системы памяти.

Тип памяти FeTRAM схож с сегнетоэлектрической оперативной памятью (FeRAM), которая сейчас применяется в коммерческих целях, но занимает относительно небольшой сегмент общего рынка полупроводников. В обоих видах используется ферроэлектрический материал для энергонезависимого хранения информации, однако, в отличие от FeRAM, новая технология позволяет производить недеструктивное считывание, т.е. считывание данных без их потери.