Тайваньские инженеры устранили ограничения флэш-памяти

Тайваньская компания Macronix нашла решение проблемы, связанной с физическим износом флэш-памяти. Одним из недостатков такого вида памяти является то, что использовать ее можно ограниченное количество раз: чем больше ячеек в чипах памяти стираются, тем бесполезнее она становится для хранения данных. Циклы записи/стирания изнашивают изоляцию, что, в конечном счете, приводит к выходу ячейки из строя. «Флэш изнашивается после 10000 циклов записи/стирания» — говорится в журнале IEEE Spectrum. Инженеры из Macronix предложили решение, способное продлить срок службы флэш-памяти. Им стала самовосстанавливающаяся флэш-память типа NAND, способная выдержать более 100 миллионов циклов.

Сообщение об этом появилось в IEEE Spectrum. Компания Macronix является одним из производителей, работающих на рынке энергонезависимой памяти, и предлагает такую продукцию, как флэш типа NOR и NAND, а также постоянные запоминающие устройства. Еще до предложения инженерами Macronix нового решения, многим специалистам был известен один обходной прием, позволяющий продлить срок службы флэш-памяти: тепло. Однако загвоздка заключалась в том, что применение тепла оказалось непрактичным. Хотя обработка ячеек высокой температурой могла вернуть память, этот процесс был проблематичен, поскольку требовал нагрева чипа памяти при температуре в 250°С в течение нескольких часов.

Сотрудники Macronix переделали чип флэш-памяти, добавив в него нагревательные элементы для отжига небольших групп ячеек. Краткий тепловой удар (800°С) по ограниченной области чипа возвращает ячейку в рабочее состояние. По словам инженеров, этот процесс необязательно проводить часто. Можно обрабатывать по одному сектору за раз, пока устройство неактивно, но подключено к источнику питания.

Свою новую разработку компания Macronix намерена представить на Международной конференции IEEE по электронным устройствам, которая пройдет в Сан-Франциско (США) с 10 по 12 декабря.